投資者提問(wèn)：

尊敬的董秘您好：據(jù)悉已于2018 年 6 月在青島市即墨區(qū)投資設(shè)立“聚能晶源（青島）半導(dǎo)體材料有限公司”，主要從事半導(dǎo)體材料，尤其是氮化鎵（GaN）外延材料的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)，該公司投資建設(shè)的第三代半導(dǎo)體材料制造項(xiàng)目（一期）已于 2019 年 9 月達(dá)到投產(chǎn)條件，正式投產(chǎn)。請(qǐng)問(wèn)以上氮化鎵外延材料項(xiàng)目投產(chǎn)，在氮化鎵領(lǐng)域具有什么技術(shù)優(yōu)勢(shì)和地位？謝謝！

董秘回答(耐威科技SZ300456)：

您好，公司GaN（氮化鎵）業(yè)務(wù)團(tuán)隊(duì)曾主導(dǎo)建立了亞洲及我國(guó)首個(gè)8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）器件研發(fā)與制造平臺(tái)，開(kāi)發(fā)成功我國(guó)首例8英寸硅基氮化鎵功率器件產(chǎn)品，截止目前在IEDM、EDL、APL等國(guó)際業(yè)界知名會(huì)議、期刊發(fā)表論文30余篇，申請(qǐng)國(guó)內(nèi)外專利10余項(xiàng)。核心團(tuán)隊(duì)具備功率與微波器件，尤其是氮化鎵（GaN）功率與微波器件的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)所需的技術(shù)能力。公司控股子公司聚能晶源所研制的8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平，在實(shí)現(xiàn)了650V/700V高耐壓能力的同時(shí)，保持了外延材料的高晶體質(zhì)量、高均勻性與高可靠性，可以完全滿足產(chǎn)業(yè)界中高壓功率電子器件的應(yīng)用需求，且在采用國(guó)際業(yè)界嚴(yán)苛判據(jù)標(biāo)準(zhǔn)的情況下在材料、機(jī)械、電學(xué)、耐壓、耐高溫、壽命等方面具有性能優(yōu)勢(shì)，擁有相應(yīng)的競(jìng)爭(zhēng)潛力。謝謝關(guān)注！

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