作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料：碳化硅(SiC)有高熱導(dǎo)率、高臨界擊穿電壓(耐高壓)、高飽和漂移速度(開關(guān)速度快)@突出優(yōu)點(diǎn)，適合高溫、高功率、高壓、高頻應(yīng)用場(chǎng)合。

SiC功率器件整個(gè)生產(chǎn)過程大致如下圖所示：

一是SiC單晶生長(zhǎng)，以高純硅粉和高純碳粉作為原材料放入高溫熔爐中形成SiC晶體；

二是襯底環(huán)節(jié)，SiC晶體經(jīng)過切磨拋@工序形成單晶薄片(低Rdson)，也即SiC襯底材料，其厚度為350微米;

三是外延環(huán)節(jié)，采用氣相沉積法在SiC晶片這層襯底上生長(zhǎng)一層薄膜(厚度為5-30微米)得晶體，成為SiC外延；

四是晶圓加工，通過光刻、沉積、離子注入和金屬鈍化@前段工藝加工形成得碳化硅晶圓，經(jīng)后段磨削、切割、倒裝工藝可制成碳化硅裸芯片;

五是器件封裝與測(cè)試，通過封裝，完成電氣連接和外殼保護(hù)后成為分立器件或者功率模塊，之后進(jìn)行測(cè)試。

SiC產(chǎn)品從生產(chǎn)到應(yīng)用得全流程歷時(shí)較長(zhǎng)。以SiC功率器件為例，從單晶生長(zhǎng)到形成襯底需要耗時(shí)1個(gè)月，從外延生長(zhǎng)到晶圓前后段加工完成需要耗時(shí)6~12個(gè)月，從器件制造再到上車驗(yàn)證更需要1~2年時(shí)間。對(duì)于SiC功率器件M廠商而言，從工業(yè)設(shè)計(jì)、應(yīng)用@環(huán)節(jié)轉(zhuǎn)化為收入增長(zhǎng)得周期非常之長(zhǎng)，汽車行業(yè)一般需要4~5年。